9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRFC4668EF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFC4668EF价格参考3.848美元。Infineon Technologies IRFC4668EF封装/规格：MOSFET N-CH WAFER。您可以下载IRFC4668EF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRFBG20PBF是MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-220AB，包括IRFBG20系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.211644盎司，具有通孔等安装方式功能，封装盒设计用于TO-220-3，以及Si技术，该器件也可以用作1通道数量的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有54 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为31 ns，上升时间为17 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为1.4 a，Vds漏极-源极击穿电压为1000V，Rds导通漏极-漏极电阻为11欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为58ns，典型接通延迟时间为9.4ns，沟道模式为增强型。
IRFBG30PBF是MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-220AB，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在1000 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.211644盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如12 ns，典型的关闭延迟时间设计为89 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为25 ns，器件的漏极电阻为5欧姆，Pd功耗为125 W，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为3.1A，下降时间为20ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IRFBG20是由IR制造的MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-220AB。IRFBG20以TO-220-3封装形式提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH1000V 1.4A-TO-220AA、N沟道1000V 1.4V（Tc）54W（Tc）通孔TO-220AB、Trans-MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin（3+Tab）TO-220AC。
IRFBL10N60A带有由IR制造的EDA/CAD模型。IRFBL110N60A采用TO-220封装，是IC芯片的一部分。
