9icnet为您提供由onsemi设计和生产的MMBFJ203，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。MMBFJ203参考价格为38.55188美元。onsemi MMBFJ203包装/规格：JFET N-CH 40V 350MW SOT23。您可以下载MMBFJ203英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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MMBFJ201是JFET N-CH 40V 350MW SOT23，包括Digi-ReelR替代包装包装，它们设计用于MMBFJ201_NL零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.002116盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装箱设计用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3以及表面安装安装类型，该装置也可用作SOT-23-3供应商装置包。此外，该配置为单一配置，该器件为N沟道FET型，该器件的最大功率为350mW，电压击穿电压V BRGSS为40V，电流漏极Idss Vds Vgs=0为200μa@20V，电压截止Vgs关断Id为300mV@10nA，Pd功耗为350 mW，晶体管极性为N沟，Vgs栅极-源极击穿电压为-40 V，栅极-源极截止电压为-1.5V。
MMBFJ202是JFET N-CH 40V 350MW SOT23，包括800mV@10nA电压切断VGS关断Id，它们设计用于40V电压击穿V BRGSS，VGS栅极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于-40 V，提供单位重量功能，如0.002116盎司，晶体管极性设计用于N通道，除了SOT-23-3供应商器件封装外，该器件还可以用作350mW最大功率。此外，Pd功耗为350mW，该器件采用Digi-ReelR替代封装封装，该器件具有TO-236-3、SC-59、SOT-23-2封装盒，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，栅源截止电压为-4 V，FET类型为N沟道，漏极电流Idss-Vds-Vgs=0为900μA@220V，配置为单一。
MMBFJ177LT1G是JFET P-CH 30V 0.225W SOT23，包括单一配置，它们设计为在1.5mA@15V电流漏极Idss Vds Vgs=0的情况下工作，FET类型如数据表注释所示，用于P通道，提供输入电容Ciss Vds特性，如11pF@10V（Vgs），安装类型设计为在表面安装中工作，以及SMD/SMT安装样式，该装置也可用作TO-236-3、SC-59、SOT-23-3包装箱。此外，该封装为Digi-ReelR交替封装，该器件的最大功率为225mW，该器件具有300欧姆的电阻RDS On，系列为MMBFJ177L，供应商器件封装为SOT-23-3（TO-236），晶体管极性为P沟道，单位重量为0.050717盎司，Vgs栅极-源极击穿电压为30 V，电压击穿V BRGSS为30 V，电压截止VGS关闭Id为800mV@10nA。
