9icnet为您提供由onsemi设计和生产的P1087，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。P1087参考价格为20.7554美元。onsemi P1087包装/规格：JFET P-CH 30V 350MW TO92。您可以下载P1087英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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P1086-TR带有引脚细节，包括卷筒包装，它们设计用于P1086零件别名，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-92-2等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及单一配置，该设备也可用于360 mW Pd功耗。此外，Id连续漏极电流为-6 mA，器件提供-15 V Vds漏极-源极击穿电压，器件具有75欧姆的Rds漏极源极电阻，晶体管极性为P沟道，Vgs栅极-源极间击穿电压为30 V，漏极-漏极电压Vdss为-10 mA，栅极-源截止电压为10 V。
P1086_D74Z带有用户指南，包括10V@1μA电压切断VGS关闭Id，它们设计用于30V电压击穿V BRGSS，数据表说明中显示了用于to-92-3的供应商设备包，该设备提供电阻RDS开启功能，如75欧姆，最大功率设计用于350mW，以及散装包装，该设备也可以用作to-226-3，TO-92-3（TO-226AA）包装箱。此外，安装类型为通孔，该器件提供45pF@15V输入电容Ciss Vds，该器件具有FET型P沟道，电流漏Idss Vds Vgs=0为10mA@20V。
P1086_D75Z带有电路图，包括10mA@20V电流漏极Idss Vds Vgs=0，它们设计为与P沟道FET类型一起工作，数据表注释中显示了45pF@15V中使用的输入电容Ciss Vds，提供安装类型功能，如通孔，封装盒设计为在to-226-3、to-92-3（to-226AA）中工作，以及散装包装，该设备也可作为最大功率350mW使用。此外，电阻RDS开启为75欧姆，该设备在TO-92-3供应商设备包中提供，该设备具有30V的电压击穿V BRGSS，电压切断VGS关闭Id为10V@1μa。
