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MMBFJ111

  • 描述:场效应管类型: n通道 击穿电压(V(BR)GSS): 35伏 最大功率: 350毫瓦 电阻-RDS(On): 30欧姆 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 1.87301 1.87301
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    - +
  • 总计: ¥1.87
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规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 最大正向电流 (Id) -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 包装/外壳 至236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 漏源电压标 (Vdss) -
  • 供应商设备包装 SOT-23-3
  • 漏极截止电流 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 20 mA@15 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds -
  • 击穿电压(V(BR)GSS) 35伏
  • 最大功率 350毫瓦
  • 关闭电压 (VGS off) @ Id 3 V @ 1 A
  • 电阻-RDS(On) 30欧姆

MMBFJ111 产品详情

MMBFJ111是一个N通道JFET开关,设计用于低电平模拟开关、采样和保持电路、斩波稳定放大器。

特色

  • 可互换的源极和漏极
  • 35V漏极栅极电压
  • -35V栅极-源极电压
  • 50mA正向栅极电流
MMBFJ111所属分类:结栅场效应晶体管 (JFET),MMBFJ111 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。MMBFJ111价格参考¥1.873014,你可以下载 MMBFJ111中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询MMBFJ111规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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