对称硅N沟道耗尽型结型场效应晶体管(FET)在再生障碍微小型外壳中,设计用于厚电路和薄膜电路。这些晶体管适用于工业应用中的低功率、斩波器或开关应用。
特色
- 可互换的漏极和源极连接
- 小包装
- 低功率斩波器
- 切换
- 厚电路和薄膜电路
起订量: 2611
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对称硅N沟道耗尽型结型场效应晶体管(FET)在再生障碍微小型外壳中,设计用于厚电路和薄膜电路。这些晶体管适用于工业应用中的低功率、斩波器或开关应用。
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