9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NGTB50N65S1WG，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NGTB50N65S1WG参考价格为11.3532美元。onsemi NGTB50N65S1WG封装/规格：IGBT，FSII，650V，50A。您可以下载NGTB50N65S1WG英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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NGTB50N60S1WG，带引脚细节，包括管包装，设计用于1.340411盎司单位重量，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-247-3等封装外壳功能，输入类型设计用于标准，以及通孔安装类型，该设备也可作为to-247-33供应商设备包使用。此外，该配置为单一配置，该设备的最大功率为417W，该设备具有94ns的反向恢复时间trr，集电器Ic最大值为100A，集电器发射极击穿最大值为600V，IGBT类型为沟槽，集电器脉冲Icm为200A，最大Vge Ic上的Vce为2V@15V，50A，开关能量为1.5mJ（开），460μJ（关），栅极电荷为220nC，25°C时的Td为100ns/237ns，测试条件为400V、50A、10 Ohm、15V，Pd功耗为417W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为600 V，集电极/发射极饱和电压为1.8 V，25℃时的连续集电极电流为100A，栅极-发射极漏电流为200nA，最大栅极-发射极电压为+/-20V，连续集电极电压Ic-Max为50A。
带有用户指南的NGTB50N60L2WG，包括600V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在最大Vge Ic上以1.8V@15V、50A Vce运行，测试条件如数据表注释所示，适用于400V、50A、10 Ohm、15V，提供Td开-关25°C功能，如110ns/270ns，开关能量设计为在800μJ（开）、600μJ（关）下工作，以及TO-247供应商设备包，该设备也可以用作NGTB50N60L2系列。此外，反向恢复时间trr为67ns，该器件提供500W最大功率，该器件具有一个封装管，封装盒为TO-247-3，安装类型为通孔，输入类型为标准，IGBT类型为沟槽场阻，栅极电荷为310nC，集电器脉冲Icm为200A，集电器Ic最大值为100A。
带有电路图的NGTB50N65FL2WG，包括100A集流器Ic Max，它们设计为与200A集流脉冲Icm一起工作，栅极电荷如数据表注释所示，用于220nC，该220nC提供IGBT类型的功能，如沟槽场阻，输入类型设计为标准工作，以及通孔安装类型，该装置也可用作TO-247-3包装箱。此外，包装为管式，设备提供417W最大功率，设备具有94ns的反向恢复时间trr，供应商设备包装为TO-247-3，开关能量为1.5mJ（开），460μJ（关），25°C时的Td为100ns/237ns，测试条件为400V，50A，10 Ohm，15V，Vce on Max Vge Ic为2V@15V，50A，电压收集器-发射极击穿最大值为650V。
NGTB50N60SWG，带EDA/CAD型号，包括管封装，设计用于沟槽场阻IGBT型，封装盒如数据表注释所示，用于to-247-3，提供供应商设备封装功能，如to-247-33，安装类型设计用于通孔，以及标准输入类型，该装置还可以用作70ns/144ns Td开-关25°C。此外，开关能量为600μJ（关），该器件以600V集电极-发射极击穿最大值提供，该器件具有400V、50A、10欧姆、15V的测试条件，反向恢复时间trr为376ns，集电极脉冲Icm为200A，最大Vge Ic上的Vce为2.6V@15V、50A，栅极电荷为135nC，集电极Ic最大值为100A。
