- 适用范围：一般用途
- 极性：N-ch
- RoHS兼容产品（#）：可用
- 组装基地：日本
特色
- 装配底座：4 mS
- 装配底座：14 mA
- 装配底座：1.2 mA
应用
一般用途
2SK880GRTE85LF
- 描述:场效应管类型: n通道 击穿电压（V（BR）GSS）: 50 V 最大功率: 100 mW 供应商设备包装: SC-70 工作温度: 125摄氏度（TJ）
- 品牌: 东芝 (Toshiba)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 4.49059 | 4.49059 |
| 10+ | 3.82425 | 38.24251 |
| 100+ | 2.85515 | 285.51510 |
| 500+ | 2.24356 | 1121.78050 |
| 1000+ | 1.73366 | 1733.66100 |
| 3000+ | 1.58069 | 4742.07000 |
| 6000+ | 1.47871 | 8872.26000 |
- 库存: 4246
- 单价: ¥4.49060
-
数量:
- +
- 总计: ¥4.49
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 最大正向电流 (Id) -
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) -
- 电阻-RDS(On) -
- 制造厂商 东芝 (Toshiba)
- 击穿电压（V（BR）GSS） 50 V
- 关闭电压 (VGS off) @ Id 1.5 V@100 nA
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 10V时为13皮法
- 最大功率 100 mW
- 工作温度 125摄氏度（TJ）
- 包装/外壳 SC-70，SOT-323
- 漏极截止电流 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 2.6 mA @ 10 V
- 供应商设备包装 SC-70
2SK880GRTE85LF 产品详情
2SK880GRTE85LF 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | 2SK1958-T1-A | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SK1958-T1-A - N-CHANNEL MOS FET | ¥0.44971 |
| 2SK1581-T1B-A | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SK1581-T1B-A - SWITCHING N-CHAN | ¥1.17284 |
| 2SK3377-Z-AZ | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SK3377-Z-AZ - SWITCHING N-CHANN | ¥5.55827 |
| 2SK2054-T1-AZ | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SK2054 - SWITCHING P-CHANNEL PO | ¥5.56219 |
| 2SK3435-AZ | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SK3435-AZ - SWITCHING N-CHANNEL | ¥17.40049 |
| 2SK3435-Z-AZ | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SK3435-Z-AZ - SWITCHING N-CHANN | ¥17.40049 |
| 2SK3431-AZ | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SK3431-AZ - SWITCHING N-CHANNEL | ¥19.13277 |
| 2SK2461-AZ | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SK2461 - SILICON N CHANNEL MOSF | ¥19.96158 |
| 2SK3447TZ-E | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SK3447TZ-E - SILICON N CHANNEL | ¥2.75629 |
| 2SK3455B-S17-AY | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SK3455B - SWITCHING N-CHANNEL P | ¥22.44698 |
2SK880GRTE85LF所属分类：结栅场效应晶体管 (JFET)，2SK880GRTE85LF 由 东芝 (Toshiba) 设计生产，可通过久芯网进行购买。2SK880GRTE85LF价格参考￥4.490598，你可以下载 2SK880GRTE85LF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询2SK880GRTE85LF规格参数、现货库存、封装信息等信息！
东芝 (Toshiba)
东芝电子设备和存储公司提供了一系列支持技术解决方案，使OEM、ODM、CMs和无晶圆厂芯片公司能够为计算、网络、通信、数字消费、汽车和其他市场开发先进的集成产品。
