9icnet为您提供由onsemi设计和生产的BFR31LT1G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BFR31LT1G参考价格7.62008美元。onsemi BFR31LT1G包装/规格：JFET N-CH 225MW SOT23。您可以下载BFR31LT1G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BFR31235是JFET N-CH 10MA 250MW SOT23，包括磁带和卷轴（TR）交替包装包装，它们设计用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3包装箱，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商设备包功能，如SOT-23（to-236AB），该器件还可以用作25V漏极到源极电压Vdss。此外，漏电流Idss Vds Vgs=0为1mA@10V，该器件提供10mA漏电流Id Max，该器件具有2.5V@0.5nA电压切断Vgs关断Id，输入电容Ciss Vds为4pF@10V。
BFR31215是JFET N-CH 10MA 250MW SOT23，包括2.5V@0.5nA电压切断VGS关断Id，它们设计用于SOT-23（to-236AB）供应商设备包，数据表说明中显示了用于250MW的最大功率，提供Digi-ReelR替代包装等包装功能，包壳设计用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3、，除了表面安装型外，该器件还可以用作4pF@10V输入电容Cis-Vds。此外，FET类型为N沟道，该器件提供25V漏极到源极电压Vdss，该器件具有1mA@10V电流漏极Idss Vds Vgs=0，电流漏极Id最大值为10mA。
BFR31LT1是JFET N-CH 225MW SOT23，包括1mA@10V电流漏极Idss Vds Vgs=0，它们设计用于25V漏极到源极电压Vdss，FET类型如数据表注释所示，用于N通道，提供5pF@10V的输入电容Cis Vds特性，安装类型设计用于表面安装，以及to-236-3、SC-59、SOT-23-3封装盒，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，最大功率为225mW，该设备在SOT-23-3（TO-236）供应商设备包中提供，该设备具有2.5V@0.5nA的电压切断VGS关闭Id。
