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TF412ST5G

  • 描述:场效应管类型: n通道 击穿电压(V(BR)GSS): 30伏 最大功率: 100 mW 供应商设备包装: SOT-883(XDFN3)(1x0.6) 工作温度: 150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
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规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 击穿电压(V(BR)GSS) 30伏
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 安装类别 表面安装
  • 电阻-RDS(On) -
  • 漏极截止电流 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 1.2 mA@10 V
  • 最大功率 100 mW
  • 工作温度 150摄氏度(TJ)
  • 最大正向电流 (Id) 10毫安
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 4皮法 @ 10V
  • 关闭电压 (VGS off) @ Id 180 mV @ 1 A
  • 包装/外壳 3-XFDFN
  • 供应商设备包装 SOT-883(XDFN3)(1x0.6)

TF412ST5G 产品详情

N沟道JFET,ON半导体

特色

  • 低IGSS最大1.0nA
  • 低泄漏JFET高灵敏度传感器模块
  • 低IDSS 1.2-3.0mA
  • 通过低漏极电流JFET降低功耗
  • Ultrasmall封装有助于最终产品的小型化
  • 通过微型封装缩小传感器模块的尺寸
  • 无卤合规性
  • 环境因素

应用

  • 低频通用放大器
  • 阻抗转换
  • 红外传感器应用
  • 红外传感器
  • 气体传感器
  • 麦克风
  • 无线电设备收发器
  • 声学设备
  • USB类型-C
TF412ST5G所属分类:结栅场效应晶体管 (JFET),TF412ST5G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。TF412ST5G价格参考¥0.987207,你可以下载 TF412ST5G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询TF412ST5G规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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