9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VS-GA200SA60SP，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VS-GA200SA60SP价格参考2094.271833美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division VS-GA200SA60SP封装/规格：IGBT模块600V 781W SOT227。您可以下载VS-GA200SA60SP英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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VS-GA100TS60SFPBF是IGBT 600V 220A 780W INT-A-PAK，包括INT-A-PAK封装外壳，它们设计为与底盘安装型一起工作。数据表说明中显示了用于INT-A-PAK的供应商设备封装，该封装提供标准、配置等输入功能，设计用于半桥，以及780W最大功率，该器件还可以用作220A集流器Ic最大值。此外，集流器-发射极击穿最大值为600V，该器件提供1mA集流切断最大值，该器件具有IGBT型PT，最大Vge Ic上的Vce为1.28V@15V，100A，输入电容Cies Vce为16.25nF@30V，NTC热敏电阻为否。
带有用户指南的VS-GA200HS60S1，包括600V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在最大Vge Ic上以1.21V@15V、200A Vce运行。数据表说明中显示了用于INT-a-PAK的供应商设备包，其提供功率最大值功能，如830W，包壳设计为在INT-a-PAK中工作，以及无NTC热敏电阻，该设备也可以用作底盘安装型。此外，输入电容Cies Vce为32.5nF@30V，该设备提供标准输入，该设备具有480A的电流收集器Ic Max，电流收集器截止最大值为1mA，配置为半桥。
VS-GA200HS60S1PBF是IGBT 600V 480A 830W INT-A-PAK，包括半桥配置，它们设计为在1mA电流收集器最大截止电流下工作，电流收集器Ic最大值如数据表注释所示，用于480A，提供标准等输入功能，输入电容Cies Vce设计为在32.5nF@30V下工作，该器件也可以用作无NTC热敏电阻。此外，封装外壳为INT-A-Pak，该器件以830W最大功率提供，该器件具有供应商器件封装的INT-A-Pak，最大Vge Ic上的Vce为1.21V@15V，200A，集电极-发射极击穿最大值为600V。
