9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VS-GB100TP120N，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VS-GB100TP120N价格参考$870.3804。Vishay General Semiconductor-Diodes Division VS-GB100TP120N封装/规格：IGBT MOD 1200V 200A INT-A-PAK。您可以下载VS-GB100TP120N英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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VS-GA200SA60UP是IGBT 600V 200A 500W SOT-227，包括管式封装，它们设计用于与GA200SA60UP零件别名一起工作，单位重量如数据表注释所示，用于1.058219盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，封装盒设计用于SOT-227-4、miniBLOC以及机箱安装安装类型，该设备也可以用作SOT-227供应商设备包。此外，输入是标准的，该设备以单配置提供，该设备的最大功率为500W，集电器Ic最大值为200A，集电器-发射器击穿最大值为600V，集电器截止最大值为1mA，最大Vge Ic上的Vce为1.9V@15V，100A，输入电容Cies Vce为16.5nF@30V，NTC热敏电阻为否，其最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，集电极-发射极电压VCEO最大值为600 V，最大栅极-发射极电流为+/-20 V，连续集电极电流Ic最大值为200 A。
带有用户指南的VS-GA200TH60S，包括600V电压集电极-发射极击穿最大值，其设计为在最大Vge Ic上以1.9V@15V、200A（典型）Vce运行，数据表说明中显示了用于双INT-a-PAK的供应商设备包，其提供功率最大值功能，如1042W，该设备也可以用作底盘安装型。此外，输入电容Cies Vce为13.1nF@25V，该设备提供标准输入，该设备的集流器Ic最大值为260A，集流器截止值最大值为5μa，配置为半桥。
VS-GA200SA60SP是模块IGBT SOT-227，包括单一配置，它们设计为在1mA集流器最大截止电流下工作，数据表注释中显示了标准中使用的输入，该标准提供了输入电容Cies Vce特性，例如16.25nF@30V，安装类型设计为在底盘安装中工作，以及无NTC热敏电阻，该装置也可以用作SOT-227-4、miniBLOC包装箱。此外，最大功率为781W，该设备在SOT-227供应商设备包中提供，该设备具有1.3V@15V，最大Vge Ic上100A的Vce，集电极-发射极击穿最大值为600V。
