9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VS-GB15XP120KTPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VS-GB15XP120KTPBF参考价格为662.191244美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division VS-GB15XP120KTPBF封装/规格：IGBT模块1200V 30A 187W MTP。您可以下载VS-GB15XP120KTPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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VS-GB150TS60NPBF是IGBT 600V 138A 500W INT-A-PAK，包括IGBT硅模块产品，它们设计用于散装包装，零件别名如数据表注释所示，用于GB150TS60NP BF，提供单位重量功能，如7.054792盎司，安装样式设计用于螺丝，以及HEXFRED商品名，该装置也可用作INT-A-PAK（3+4）包装盒。此外，安装类型为底盘安装，该设备在INT-A-PAK供应商设备包中提供，该设备具有输入标准，配置为半桥，功率最大值为500W，电流收集器Ic最大值为138A，电压收集器发射器击穿最大值为600V，电流收集器截止最大值为200μA，IGBT类型为NPT，最大Vge Ic上的Vce为3V@15V，150A，NTC热敏电阻为否，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-40 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为600 V，25 C时的连续集电极电流为138 A，最大栅极-发射极电压为+/-20 V。
带有用户指南的VS-GB150TH120U，包括1200V集电器-发射极击穿最大值，设计用于3.6V@15V，150A Vce on Max Vge Ic，数据表说明中显示了用于双INT-a-PAK的供应商设备包，提供功率最大值功能，如1147W，包壳设计用于双INTA-PAK（3+4），以及无NTC热敏电阻，该设备也可以用作底盘安装型。此外，输入电容Cies Vce为12.7nF@30V，该设备提供标准输入，该设备具有280A的电流收集器Ic Max，电流收集器截止最大值为5mA，配置为半桥。
带有电路图的VS-GB150TH120N，包括半桥配置，它们设计为在5mA电流收集器最大截止电流下工作，电流收集器Ic最大值如数据表注释所示，用于300A，提供标准输入功能，输入电容Cies Vce设计为在11nF@25V下工作，以及底盘安装安装类型，该器件也可以用作无NTC热敏电阻。此外，封装外壳为双INT-A-PAK（3+4），该器件以1008W功率最大提供，该器件具有供应商器件封装的双INT-A-A-PAK，最大Vge Ic上的Vce为2.35V@15V，150A，集电极-发射极击穿最大值为1200V。
