9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VS-GB200TS60NPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VS-GB200TS60NPBF价格参考787.05443美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division VS-GB200TS60NPBF封装/规格：IGBT MOD 600V 209A INT-A-PAK。您可以下载VS-GB200TS60NPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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VS-GB200TH120N，带引脚细节，包括双INT-A-PAK（3+4）封装盒，它们设计为与底盘安装型一起工作，数据表说明中显示了用于双INT-A-A-PAK的供应商设备封装，该封装提供标准等输入功能，配置设计用于半桥，以及1136W最大功率，该设备还可以用作360A集电器Ic最大值。此外，集电器-发射器击穿最大值为1200V，该设备提供5mA集电器截止最大值，该设备在最大Vge Ic上具有2.35V@15V，200A的Vce，输入电容Cies Vce为14.9nF@25V，NTC热敏电阻为No。
带有用户指南的VS-GB200TH120U，包括1200V电压收集器-发射器击穿最大值，它们设计为在3.6V@15V、200A Vce on Max Vge Ic下工作，数据表说明中显示了用于双INT-a-PAK的供应商设备包，提供1316W等功率最大功能，包壳设计为在双INT-a-a-PAK（3+4）下工作，以及无NTC热敏电阻，该设备也可以用作底盘安装型。此外，输入电容Cies Vce为16.9nF@30V，该设备提供标准输入，该设备的集流器Ic最大值为330A，集流器截止值最大值为5mA，配置为半桥。
带有电路图的VS-GB200NH120N，包括单配置，它们设计为在5mA电流收集器最大截止电流下工作，电流收集器Ic最大值如数据表注释所示，用于420A，提供标准输入功能，输入电容Cies Vce设计为在18nF@25V下工作，以及底盘安装安装类型，该器件也可以用作无NTC热敏电阻。此外，封装外壳为双INT-A-PAK（3+4），该器件以1562W功率最大值提供，该器件具有供应商器件封装的双INT-A-A-PAK，最大Vge Ic上的Vce为1.8V@15V，200A（Typ），集电器-发射极击穿最大值为1200V。
