9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VS-GB50YF120N，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VS-GB50YF120N参考价格为166.712582美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division VS-GB50YF120N封装/规格：IGBT MOD 1200V 66A ECONO2 4PACK。您可以下载VS-GB50YF120N英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的，可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如VS-GB50YF120N价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
VS-GB50LP120N，带引脚细节，包括INT-A-PAK（3+4）封装盒，它们设计为与底盘安装型一起工作。数据表说明中显示了用于INT-A-PAK的供应商设备包，该设备提供标准等输入功能，配置设计为单台工作，以及446W最大功率，该设备也可以用作100A电流收集器Ic Max。此外，电压收集器-发射器击穿最大值为1200V，该设备提供1mA电流收集器截止最大值，该设备在最大Vge Ic上具有1.7V@15V，50A（典型值）的Vce，输入电容Cies Vce为4.29nF@25V，NTC热敏电阻为No。
带有用户指南的VS-GB50TP120N，包括1200V电压收集器-发射器击穿最大值，它们设计为在最大Vge Ic上以2.15V@15V、50A Vce运行，数据表说明中显示了用于INT-a-PAK的供应商设备包，该包提供446W等最大功率功能，包壳设计为在INT-a-PA（3+4）中工作，以及无NTC热敏电阻，该设备也可以用作底盘安装型。此外，输入电容Cies Vce为4.29nF@25V，该设备提供标准输入，该设备的集流器Ic最大值为100A，集流器截止值最大值为5mA，配置为半桥。
VS-GB50NA120UX是IGBT 1200V 84A 431W SOT-227，包括单配置，它们设计用于50μa集电器最大截止电流，集电器Ic最大值如数据表注释所示，用于84A，提供IGBT类型功能，如NPT，输入设计用于标准，以及底盘安装安装类型，该器件也可以用作无NTC热敏电阻。此外，封装外壳为SOT-227-4，miniBLOC，该器件以431W最大功率提供，该器件具有供应商器件封装的SOT-227，最大Vge Ic上的Vce为2.8V@15V，50A，集电极-发射极击穿最大值为1200V。
