9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VS-GT100DA60U，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VS-GT100DA60U参考价格为480.904972美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division VS-GT100DA60U封装/规格：IGBT MOD 600V 184A 577W SOT227。您可以下载VS-GT100DA60U英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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VS-GP300TD60S是IGBT，包括底盘安装型，它们设计用于双INT-a-PAK（3+8）封装盒，技术如数据表注释所示，用于Si，提供底盘安装等安装类型功能，供应商设备封装设计用于双in-a-PAK，以及标准输入，该设备也可以用作半桥配置。此外，功率最大值为1136W，该设备提供580A电流收集器Ic最大值，该设备具有600V的电压收集器-发射器击穿最大值，电流收集器截止最大值为150μa，IGBT类型为PT、Trench，Vce on Max Vge Ic为1.45V@15V，300A，NTC热敏电阻为No，Pd功耗为1.136 kW，其最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-40℃，集电极-发射极电压VCEO Max为600 V，25℃时的连续集电极电流为580 A，栅极-发射极漏电流为+/-500 nA，最大栅极-发射极电压为20 V，连续集电极电流Ic Max为580 A。
VS-GP400TD60S是IGBT，包括600V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在1.52V@15V、最大Vge Ic上400A Vce的情况下工作。数据表说明中显示了用于Si的技术，该Si提供了供应商设备包功能，如双INT-a-PAK，功率最大值设计为1563W，以及1.563 kW Pd功耗，该装置也可用作双INT-A-PAK（3+8）包装箱。此外，NTC热敏电阻为否，该器件为底盘安装型，该器件具有安装型底盘安装，其最低工作温度范围为-40℃，最高工作温度范围+150℃，最大栅极发射极电压为20 V，输入为标准，IGBT类型为PT、Trench、，栅极-发射极漏电流为+/-750 nA，集电极Ic Max为758A，集电极截止电流最大值为200μA，连续集电极电流Ic Max是758A，25℃时的连续集电极电压为758 A，配置为半桥，集电极-发射极电压VCEO Max为600 V。
VS-GT100DA120U是IGBT 1200V 258A 893W SOT-227，包括单一配置，它们设计为以100μa电流收集器最大截止电流运行，电流收集器Ic最大值如数据表注释所示，用于258A，提供IGBT类型功能，如沟槽，输入设计为标准工作，以及底盘安装安装类型，该器件也可以用作无NTC热敏电阻。此外，封装外壳为SOT-227-4，miniBLOC，该器件提供893W功率最大，该器件具有SOT-227供应商器件封装，最大Vge Ic上的Vce为2.1V@15V，100A，集电极-发射极击穿最大值为1200V。
