9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VS-GT400TH60N，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VS-GT400TH60N参考价格为105.73865美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division VS-GT400TH60N封装/规格：IGBT MOD 600V 530A INT-A-PAK。您可以下载VS-GT400TH60N英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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VS-GT300YH120N，带引脚细节，包括双INT-A-PAK（3+8）封装盒，它们设计为与底盘安装型一起工作，数据表说明中显示了用于双INT-A-A-PAK的供应商设备封装，该封装提供标准输入功能，配置设计为在半桥中工作，以及1042W最大功率，该器件还可以用作341A集电器Ic Max。此外，集电器-发射极击穿最大值为1200V，该器件提供300μA集电器截止最大值，该器件具有IGBT型沟槽，最大Vge Ic上的Vce为2.17V@15V，300A（Typ），输入电容Cies Vce为36nF@30V，NTC热敏电阻为No。
带有用户指南的VS-GT400TH120N，包括1200V电压收集器-发射器击穿最大值，它们设计为在最大Vge Ic上以2.15V@15V、400A Vce运行，数据表说明中显示了用于双INT-a-PAK的供应商设备包，提供功率最大值功能，如2119W，包壳设计为在双INT-a-a-PAK（3+8）中工作，以及无NTC热敏电阻，该设备也可以用作底盘安装型。此外，输入电容Cies Vce为28.8nF@25V，该设备提供标准输入，该设备具有IGBT型沟槽，集电器Ic最大值为600A，集电器截止值最大值为5mA，配置为半桥。
带有电路图的VS-GT400TH120U，包括半桥配置，它们设计为在最大5mA集电器截止电流下工作，数据表注释中显示了750A中使用的集电器Ic最大值，其提供IGBT类型的功能，如沟槽，输入设计为在标准模式下工作，以及51.2nF@30V输入电容Cies Vce，该设备也可以用作底盘安装型。此外，NTC热敏电阻为否，该器件采用双INT-A-PAK（3+8）封装盒，该器件最大功率为2344W，供应商器件封装为双INT-A-A-PAK，最大Vge Ic上的Vce为2.35V@15V，400A，集电极-发射极击穿最大值为1200V。
