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RJH65T46DPQ-A0#T0

  • 描述:IGBT型: 沟槽 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 340.9 W 供应商设备包装: TO-247A 工作温度: 175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 瑞萨电子 (Renesas)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 32.15847 32.15847
10+ 28.87019 288.70199
100+ 23.65458 2365.45870
500+ 20.13642 10068.21050
1000+ 19.11111 19111.11600
  • 库存: 0
  • 单价: ¥32.15848
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥32.16
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 集电极击穿电压 650 V
  • 输入类别 标准
  • 安装类别 通孔
  • 包装/外壳 至247-3
  • 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
  • 最大整流电流 (Icm) -
  • 最大集电极电流 (Ic) 80 A
  • IGBT型 沟槽
  • 试验条件 400V, 40A, 10欧姆, 15V
  • 反向恢复时长 (trr) 100纳秒
  • 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.4V @ 15V, 40A
  • 工作温度 175摄氏度(TJ)
  • 门电荷 138 nC
  • 供应商设备包装 TO-247A
  • 最大功率 340.9 W
  • 开关能量 450J (on), 550J (off)
  • 开通/关断延时 (25°C) 45ns/170ns

RJH65T46DPQ-A0#T0 产品详情

RJH60F0DPQ-A0#T0是一个600V IGBT,具有高速功率开关和内置快速恢复二极管。

特色

  • 150°C结温
  • 低集电极到发射极饱和电压
  • 沟槽栅极和薄晶圆技术
  • 高速切换

应用

电源管理
RJH65T46DPQ-A0#T0所属分类:单绝缘栅双极晶体管(IGBT),RJH65T46DPQ-A0#T0 由 瑞萨电子 (Renesas) 设计生产,可通过久芯网进行购买。RJH65T46DPQ-A0#T0价格参考¥32.158476,你可以下载 RJH65T46DPQ-A0#T0中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询RJH65T46DPQ-A0#T0规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器...

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