AFGHL50T65SQD
- 描述:IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 268 W 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
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1+ | 50.19312 | 50.19312 |
200+ | 19.43196 | 3886.39380 |
450+ | 18.74885 | 8436.98475 |
900+ | 18.41255 | 16571.29770 |
- 库存: 0
- 单价: ¥50.19312
-
数量:
- +
- 总计: ¥50.19
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 集电极击穿电压 650 V
- 输入类别 标准
- 反向恢复时长 (trr) -
- 安装类别 通孔
- 包装/外壳 至247-3
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
- IGBT型 场终止沟道
- 最大集电极电流 (Ic) 80 A
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.1V @ 15V, 50A
- 最大功率 268 W
- 最大整流电流 (Icm) 200 A
- 供应商设备包装 TO-247-3
- 试验条件 400V, 50A, 4.7欧姆, 15V
- 门电荷 102 nC
- 开关能量 950J(开),460J(关闭)
- 开通/关断延时 (25°C) 20ns/81ns
AFGHL50T65SQD所属分类:单绝缘栅双极晶体管(IGBT),AFGHL50T65SQD 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。AFGHL50T65SQD价格参考¥50.193123,你可以下载 AFGHL50T65SQD中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询AFGHL50T65SQD规格参数、现货库存、封装信息等信息!
安盛美 (onsemi)
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