9icnet为您提供由Renesas Electronics America Inc设计和生产的RJH60A83RDPE-00#J3，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。RJH60A83RDPE-00#J3参考价格为2.14000美元。Renesas Electronics America Inc RJH60A83RDPE-00#J3封装/规格：IGBT 600V 20A 52W LDPAK。您可以下载RJH60A83RDPE-00#J3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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RJH60A83RDPD-A0#J2，带引脚细节，包括磁带和卷轴（TR）封装，它们设计用于to-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63封装盒，输入类型如数据表注释所示，用于标准，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备封装设计用于to-25 2，以及51W最大功率，该设备也可以用作130ns反向恢复时间trr。此外，集电器Ic最大值为20A，该器件提供600V电压集电器-发射极击穿最大值，该器件具有IGBT型沟槽，最大Vge Ic上的Vce为2.6V@15V，10A，开关能量为230μJ（开）、160μJ（关），栅极电荷为19.7nC，25°C下的Td为31ns/54ns，测试条件为300V、10A、5欧姆、15V。
RJH60A01RDPD-A0#J2，带有用户指南，包括600V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在最大Vge Ic上以2.3V@15V、5A Vce运行，测试条件如数据表注释所示，用于300V、5A、5欧姆、15V，提供Td开-关25°C功能，如30ns/40ns，开关能量设计为在130μJ（开）、70μJ（关）下工作，以及TO-252供应商设备包，该设备也可以用作100ns反向恢复时间trr。此外，功率最大值为29.4W，该器件采用磁带和卷轴（TR）封装，该器件具有TO-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63封装外壳，安装类型为表面安装，输入类型为标准型，IGBT类型为沟槽型，栅极电荷为11nC，集流器Ic最大值为10A。
带有电路图的RJH60A81RDPD-A0#J2，包括10A集流器Ic Max，它们设计用于11nC栅极充电，数据表注释中显示了用于沟槽的IGBT类型，该沟槽提供输入类型功能，如标准，安装类型设计用于表面安装，以及to-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63封装盒，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，功率最大值为29.4W，该设备提供100ns反向恢复时间trr，该设备具有供应商设备包的TO-252，开关能量为130μJ（开）、60μJ（关），25°C时的Td为30ns/40ns，测试条件为300V、5A、5 Ohm、15V，最大Vge Ic上的Vce为2.4V@15V、5A，集电极-发射极击穿最大值为600V。
