9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NGTB20N120LWG，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NGTB20N120LWG参考价格为1.60000美元。onsemi NGTB20N120LWG封装/规格：IGBT 1200V 40A 192W TO247-3。您可以下载NGTB20N120LWG英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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NGTB20N120IHSWG是IGBT 1200V 20A TO247，其中包括NGTB20N220IHS系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.229281盎司，提供通孔等安装类型功能，封装盒设计用于to-247-3以及标准输入类型，该设备也可以用作通孔安装类型。此外，供应商设备包为TO-247，该设备为单配置，该设备的最大功率为156W，集电器Ic最大值为40A，集电器-发射极击穿最大值为1200V，IGBT类型为沟槽场阻，集电器脉冲Icm为120A，最大Vce Vge Ic为2.4V@15V，20A，开关能量为650μJ（关），栅极电荷为155nC，25°C时的Td为-/160ns，测试条件为600V、20A、10欧姆、15V，Pd功耗为156 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为1200 V，集电极/发射极饱和电压为2.5 V，25℃时的连续集电极电流为40A，栅极-发射极漏电流为100nA，最大栅极-发射极电压为+/-20V，连续集电极电压Ic-Max为40A。
带有用户指南的NGTB20N120IHWG，包括1200V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在最大Vge Ic上以2.65V@15V、20A Vce运行，单位重量如数据表注释所示，用于1.340411盎司，提供600V、20A、10欧姆、15V、Td等测试条件功能。25°C设计为在-/170ns下工作，以及480μJ（关闭）开关能量，该设备也可以用作TO-247-3供应商设备包。此外，最大功率为341W，该器件提供341 W Pd功耗，该器件具有封装管，封装盒为TO-247-3，安装类型为通孔，安装类型是通孔，最小工作温度范围为-40℃，最大工作温度范围+175℃，最大栅发射极电压为+/-20 V，并且输入类型是标准的，并且IGBT类型是沟槽场截止，并且栅极-发射极漏电流是100nA，并且栅极电荷是150nC，并且集流器脉冲Icm是80A，集流器Ic Max是40A，并且连续集流器电流Ic Max为20A，并且在25C下的连续集流电流是40A，集电极-发射极电压VCEO Max为1.2kV，集电极-发射器饱和电压为2.2V。
NGTB20N120IHTG，带电路图，包括管包装。
