9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NGTB25N120LWG，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NGTB25N120LWG参考价格为1.76000美元。onsemi NGTB25N120LWG封装/规格：IGBT 1200V 50A 192W TO247-3。您可以下载NGTB25N120LWG英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如NGTB25N120LWG价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
现在这个模型已经过时了。9icnet.com上标记的生产状态仅供参考。如果你没有找到你想要的，你可以通过电子邮件获得更多有价值的信息，例如NGTB25N120LWG库存数量、优惠价格、数据表和制造商。我们很高兴收到您的来信，所以请随时与我们联系。
NGTB25N120FLWG是IGBT 1200V 25A TO247-3，包括NGTB25N1 20FL系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.229281盎司，提供通孔等安装类型功能，封装盒设计用于to-247-3，以及标准输入型，该设备也可以用作通孔安装型。此外，供应商设备包为TO-247，该设备为单配置，该设备的最大功率为192W，反向恢复时间trr为240ns，集电器Ic最大值为50A，集电器-发射极击穿最大值为1200V，IGBT类型为沟槽场停止，集电器脉冲Icm为200A，最大Vge Ic上的Vce为2.2V@15V，25A，开关能量为1.5mJ（开），950μJ（关），栅极电荷为220nC，25°C时的Td为91ns/228ns，测试条件为600V，25A，10欧姆，15V，Pd功耗为192 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为1200 V，集电极-发射极饱和电压为2V，25℃时的连续集电极电流为50A，栅极-发射极漏电流为100nA，最大栅极-发射极电压为20V。
NGTB25N120IHLWG是IGBT 1200V 50A 192W TO247-3，包括1200V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在2.3V@15V、25A Vce on Max Vge Ic下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.229281盎司，提供600V、25A、10欧姆、15V、Td on off 25°C等测试条件功能，以及800μJ（关断）开关能量，该器件也可以用作TO-247供应商器件包。此外，该系列为NGTB25N120IHL，该器件提供192W最大功率，该器件具有250W的Pd功耗，封装为管，封装外壳为TO-247-3，安装类型为通孔，安装类型是通孔，最大栅极发射极电压为20V，输入类型为标准，栅极电荷为200nC，并且集流器脉冲Icm为200A，集流器Ic Max为50A，并且25℃下的连续集流器电流为50A、集流器发射极电压VCEO Max为1200V。
带有电路图的NGTB25N120FL2WG，包括50A集流器Ic Max，它们设计为与100A集流脉冲Icm一起工作，数据表注释中显示了用于178nC的栅极电荷，该178nC提供了IGBT类型的功能，如磁场停止，输入类型设计为标准工作，以及通孔安装类型，该装置也可用作TO-247-3包装箱。此外，包装为管式，该设备的最大功率为385W，该设备具有154ns的反向恢复时间trr，供应商设备包装为TO-247-3，开关能量为1.95mJ（开），600μJ（关），25°C时的Td为87ns/179ns，测试条件为600V，25A，10 Ohm，15V，最大Vge Ic为2.4V@15V，25A，电压收集器-发射极击穿最大值为1200V。
