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RJP60F4DPM-00#T1

  • 描述:IGBT型: 沟槽 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 60 A 最大功率: 41.2 W 供应商设备包装: TO-3PFM 工作温度: 150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 瑞萨电子 (Renesas)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 41.93639 41.93639
10+ 37.65583 376.55837
  • 库存: 88
  • 单价: ¥41.93639
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥41.94
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 输入类别 标准
  • 反向恢复时长 (trr) -
  • 安装类别 通孔
  • 开关能量 -
  • 集电极击穿电压 600 V
  • 最大集电极电流 (Ic) 60 A
  • 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
  • 最大整流电流 (Icm) -
  • 门电荷 -
  • 包装/外壳 TO-220-3全套
  • IGBT型 沟槽
  • 供应商设备包装 TO-3PFM
  • 工作温度 150摄氏度(TJ)
  • 试验条件 400V, 30A, 5欧姆, 15V
  • 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 1.82V@15V,30A
  • 最大功率 41.2 W
  • 开通/关断延时 (25°C) 45ns/70ns

RJP60F4DPM-00#T1 产品详情

RJP60F4DPM-00#T1所属分类:单绝缘栅双极晶体管(IGBT),RJP60F4DPM-00#T1 由 瑞萨电子 (Renesas) 设计生产,可通过久芯网进行购买。RJP60F4DPM-00#T1价格参考¥41.936391,你可以下载 RJP60F4DPM-00#T1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询RJP60F4DPM-00#T1规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器...

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