9icnet为您提供由Renesas Electronics America Inc设计生产的RJH60D7BDPQ-E0#T2，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂、代理商等渠道购买。RJH60D7BDPQ-E0#T2参考价格为6.12000美元。Renesas Electronics America Inc RJH60D7BDPQ-E0#T2封装/规格：IGBT 600V 90A 300W TO-247。您可以下载RJH60D7BDPQ-E0#T2英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如RJH60D7BDPQ-E0#T2价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
RJH60D6DPM-00#T1，带有引脚细节，包括管封装，它们设计用于to-3PFM、SC-93-3封装盒，输入类型如数据表注释所示，用于标准，提供安装类型功能，如通孔，供应商设备封装设计用于to-3 PFM，以及50W最大功率，该设备也可以用作100ns反向恢复时间trr。此外，电流收集器Ic最大值为80A，该器件提供600V电压收集器-发射器击穿最大值，该器件具有IGBT型沟槽，最大Vge Ic上的Vce为2.2V@15V，40A，开关能量为850μJ（开）、600μJ（关），栅极电荷为104nC，25°C下的Td为50ns/160ns，测试条件为300V、40A、5欧姆、15V。
RJH60D6DPK-00#T0，带有用户指南，包括600V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在最大Vge Ic上以2.2V@15V、40A Vce运行，测试条件如数据表注释所示，用于300V、40V、5欧姆、15V，提供Td开-关25°C功能，如50ns/160ns，开关能量设计为在850μJ（开）、600μJ（关）下工作，以及TO-3P供应商设备包，该设备也可以用作100ns反向恢复时间trr。此外，最大功率为260W，器件采用管式封装，器件具有TO-3P-3、SC-65-3封装盒，安装类型为通孔，输入类型为标准，IGBT类型为沟槽，栅极电荷为104nC，集流器Ic最大值为80A。
RJH60D7ADPK-00#T0带电路图，包括90A集流器Ic Max，设计用于130nC栅极充电，数据表注释中显示了用于沟槽的IGBT类型，该沟槽提供输入类型功能，如标准，安装类型设计用于通孔，以及to-3P-3、SC-65-3封装盒，该设备也可以用作管封装。此外，功率最大值为300W，器件提供100ns反向恢复时间trr，器件具有供应商器件封装的TO-3P，开关能量为1.1mJ（开），600μJ（关），25°C时的Td为60ns/190ns，测试条件为300V，50A，5 Ohm，15V，最大Vge Ic上的Vce为2.2V@15V，50V，集电极-发射极击穿最大值为600V。
