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RJP60D0DPP-M0#T2是IGBT 600V 45A 35W TO-220FL,包括管式封装,设计用于TO-220-3全包装包装箱,输入类型如数据表注释所示,用于标准,提供安装类型功能,如通孔,供应商设备包设计用于TO-22 0FL,以及35W最大功率,该器件还可以用作45A集电极Ic最大值。此外,集电极-发射极击穿最大值为600V,该器件提供2.2V@15V,22A Vce on Max Vge Ic,该器件具有45nC栅极电荷,25°C时的Td为35ns/90ns,测试条件为300V、22A、5 Ohm、15V。
RJP60D0DPM-00#T1是IGBT 600V 45A 40W TO-3PFM,包括600V集电极-发射极击穿最大值,它们设计为在最大Vge Ic下以2.2V@15V、22A Vce运行,测试条件如数据表注释所示,用于300V、22B、5 Ohm、15V,提供25°C的Td通断特性,如35ns/90ns,除了40W最大功率外,该设备还可以用作管包装。此外,封装外壳为TO-3PFM,SC-93-3,该器件为通孔安装型,该器件具有输入型标准,栅极电荷为45nC,集流器Ic最大值为45A。
RJP60D0DPK-00#T0是IGBT 600V 45A 140W TO-3P,包括45A集流器Ic Max,设计用于45nC栅极充电,输入类型如数据表注释所示,用于标准,提供安装类型功能,如通孔,封装盒设计用于TO-3P-3、SC-65-3以及管封装,该设备也可用于140W最大功率。此外,供应商设备包为TO-3P,该设备在25°C时的35ns/90ns Td通断,该设备具有300V、22A、5欧姆、15V的测试条件,最大Vge Ic上的Vce为2.2V@15V、22V,集电极-发射极击穿最大值为600V。