9icnet为您提供由Renesas Electronics America Inc设计和生产的RJP60F0DPM-00#T1，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。RJP60F0DPM-00#T1价格参考2.778美元。Renesas Electronics America Inc RJP60F0DPM-00#T1封装/规格：IGBT 600V 50A 40W TO-3PFM。您可以下载RJP60F0DPM-00#T1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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RJP60F0DPE-00#J3，带引脚细节，包括磁带和卷轴（TR）封装，设计用于SC-83封装盒，数据表说明中显示了标准中使用的输入类型，该标准提供了表面安装等安装类型功能，供应商设备封装设计用于4-LDPAK以及122W最大功率，该设备还可以用作50A集流器Ic Max。此外，集电极-发射极击穿最大值为600V，该器件为沟槽IGBT型，该器件在15V时具有1.82V，最大Vge Ic上的Vce为25A，25°C下的Td为46ns/70ns，测试条件为400V、30A、5欧姆、15V。
RJP60D0DPP-M0#T2是IGBT 600V 45A 35W TO-220FL，包括600V集电极-发射极击穿最大值，设计用于在最大Vge Ic时2.2V@15V、22A Vce的条件下工作，测试条件如数据表注释所示，用于300V、22V、5 Ohm、15V，提供25°C的Td通断特性，如35ns/90ns，供应商设备包设计用于TO-220FL，除了35W最大功率外，该设备还可以用作管包装。此外，封装盒为TO-220-3全封装，器件为通孔安装型，器件具有输入型标准，栅极电荷为45nC，集流器Ic最大值为45A。
RJP60D0DPM-00#T1是IGBT 600V 45A 40W TO-3PFM，包括45A集流器Ic Max，它们设计用于45nC栅极充电，输入类型如数据表注释所示，用于标准，提供安装类型功能，如通孔，封装盒设计用于TO-3PFA、SC-93-3以及管封装，该设备也可以用作40W最大功率。此外，供应商设备包为TO-3PFM，该设备在25°C下的35ns/90ns Td下提供，该设备具有300V、22A、5 Ohm、15V的测试条件，最大Vge Ic上的Vce为2.2V@15V，22A，集电极-发射极击穿最大值为600V。
