9icnet为您提供由Renesas Electronics America Inc设计生产的RJH1CV7DPK-00#T0，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂、代理商等渠道购买。RJH1CV7DPK-00#T0参考价格为33.578美元。Renesas Electronics America Inc RJH1CV7DPK-00#T0封装/规格：IGBT 1200V 70A 320W TO-3P。您可以下载RJH1CV7DPK-00#T0英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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RJH1CV6DPK-00#T0，带有引脚细节，包括管封装，设计用于to-3P-3、SC-65-3封装盒，输入类型如数据表注释所示，用于标准，提供安装类型功能，如通孔，供应商设备封装设计用于to-3 P，以及290W最大功率，该设备也可以用作180ns反向恢复时间trr。此外，电流收集器Ic最大值为60A，该器件提供1200V电压收集器发射极击穿最大值，该器件具有IGBT型沟槽，最大Vge Ic上的Vce为2.6V@15V，30A，开关能量为2.3mJ（开）、1.7mJ（关），栅极电荷为105nC，25°C下的Td为46ns/125ns，测试条件为600V、30A、5欧姆、15V。
RJH1CV5DPK-00#T0，带有用户指南，包括1200V集电极-发射极击穿最大值，设计用于在2.6V@15V、25A Vce on Max Vge Ic下工作，测试条件如数据表注释所示，适用于600V、25A、5 Ohm、15V，提供Td开-关25°C功能，如42ns/105ns，开关能量设计用于1.9mJ（开）、1.5mJ（关），以及TO-3P供应商设备包，该设备也可以用作170ns反向恢复时间trr。此外，最大功率为245W，器件采用管式封装，器件具有TO-3P-3、SC-65-3封装盒，安装类型为通孔，输入类型为标准型，IGBT类型为沟槽型，栅极电荷为72nC，集流器Ic最大值为50A。
带有电路图的RJH1CM5DPQ-E0#T2，包括30A集流器Ic Max，它们设计用于74nC栅极充电，数据表注释中显示了用于标准的输入类型，该标准提供了安装类型功能，如通孔，封装盒设计用于to-247-3，以及管封装，该设备也可以用作245W最大功率。此外，反向恢复时间trr为200ns，该设备在TO-247供应商设备包中提供，该设备具有1.6mJ（开）、700μJ（关）的开关能量，25°C时的Td开/关为40ns/100ns，测试条件为600V、15A、5欧姆、15V，最大Vge Ic为2.7V@15V、15A，集电极-发射极击穿最大值为1200V。
