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IXGK60N60C2D1

  • 描述:IGBT型: PT 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 75 A 最大功率: 480瓦 供应商设备包装: TO-264 (IXGK) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 艾赛斯.力特 (IXYS)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 9000
  • 单价: ¥1,478.13103
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  • 总计: ¥1,478.13
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规格参数

  • 最大整流电流 (Icm) 300 A
  • 输入类别 标准
  • 安装类别 通孔
  • 部件状态 过时的
  • 最大功率 480瓦
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 集电极击穿电压 600 V
  • 制造厂商 艾赛斯.力特 (IXYS)
  • IGBT型 PT
  • 最大集电极电流 (Ic) 75 A
  • 包装/外壳 至264-3,至264AA
  • 反向恢复时长 (trr) 35纳秒
  • 供应商设备包装 TO-264 (IXGK)
  • 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.5V @ 15V, 50A
  • 门电荷 146 nC
  • 试验条件 400V, 50A, 2欧姆, 15V
  • 开通/关断延时 (25°C) 18ns/95ns
  • 开关能量 400J (on), 480J (off)

IXGK60N60C2D1 产品详情

发电机X3™ IGBT是使用我们强大的HDMOS IGBT工艺制造的PT(穿通)。300V发电机3™ IGBT提供敢达150 kHz的开关能力,电流范围从42A到120A。高开关速度和低传导损耗的结合为电力设计师提供了开关应用的新的高价值选择。这些UIS额定设备坚固耐用,可与大多数坚固的功率MOSFET媲美。600V GenX3™ 针对需要高于200kHz的软开关频率和40kHz的硬开关频率的高电流应用而优化。这些器件利用我们成熟的穿通(PT)技术,提供更高的浪涌电流能力、更低的饱和电压和更低的能量损耗,为设计人员提供了一种在600V范围内切换应用的新可行选择。1200V GenX3™ 利用我们先进的穿通(PT)技术提供较低的饱和电压、较低的开关损耗和较高的浪涌电流能力。这一不断增长的产品线瞄准了高压电源转换市场。为了适应最佳部件选择,设计师可以在A3、B3和C3三个子类之间进行选择。这些分类提供了更大的系统设计灵活性,并为设计者提供了在关键要求(如开关频率、效率和成本)之间达成最佳折衷的机会。

特色

  • 高电流处理能力
  • 国际标准包
  • 针对低传导和开关损耗进行了优化
  • 超快反并联二极管(可选)
  • 雪崩等级
  • 方形RBSOA
  • 300V范围内MOSFET的低成本替代品
  • MOS门导通,驱动简单
  • 高频IGBT

应用

  • 功率逆变器
  • 不间断电源
  • 电机驱动装置
  • 表面粗糙度
  • PFC电路
  • 蓄电池充电器
  • 焊接机
  • 灯镇流器
  • 浪涌电流保护电路
  • 直流截波器
  • 感应加热
  • 太阳能系统逆变器
  • 功率因数校正电路
  • 不间断电源
  • 开关模式电源
  • 电机控制(ACAC/DC电机)
  • 电容放电开关
IXGK60N60C2D1所属分类:单绝缘栅双极晶体管(IGBT),IXGK60N60C2D1 由 艾赛斯.力特 (IXYS) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IXGK60N60C2D1价格参考¥1478.131032,你可以下载 IXGK60N60C2D1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IXGK60N60C2D1规格参数、现货库存、封装信息等信息!

艾赛斯.力特 (IXYS)

艾赛斯.力特 (IXYS)

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