9icnet为您提供由Renesas Electronics America Inc设计生产的RJH60D5BDPQ-E0#T2，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂、代理商等渠道购买。RJH60D5BDPQ-E0#T2参考价格$4.624。Renesas Electronics America Inc RJH60D5BDPQ-E0#T2封装/规格：IGBT 600V 75A 200W TO-247。您可以下载RJH60D5BDPQ-E0#T2英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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RJH60D3DPE-00#J3，带有引脚细节，包括Digi-ReelR替代包装包装，它们设计用于SC-83包装箱，输入类型显示在数据表注释中，用于标准，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于4-LDPAK，以及113W最大功率，该设备也可以用作100ns反向恢复时间trr。此外，集电器Ic最大值为35A，该器件提供600V电压集电器-发射极击穿最大值，该器件具有IGBT型沟槽，最大Vge Ic上的Vce为2.2V@15V，17A，开关能量为200μJ（开）、210μJ（关），栅极电荷为37nC，25°C下的Td为35ns/80ns，测试条件为300V、17A、5欧姆、15V。
RJH60D2DPP-M0#T2带用户指南，包括600V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在2.2V@15V、12A Vce on Max Vge Ic下工作，测试条件如数据表注释所示，用于300V、12B、5 Ohm、15V，提供Td开-关25°C功能，如32ns/85ns，开关能量设计为在100μJ（开）、160μJ（关）下工作，以及TO-220FL供应商设备包，该设备也可以用作100ns反向恢复时间trr。此外，功率最大值为34W，器件采用管式封装，器件具有TO-220-3全封装外壳，安装类型为通孔，输入类型为标准，IGBT类型为沟槽，栅极电荷为19nC，集流器Ic最大值为25A。
RJH60D3DPP-M0#T2是IGBT 600V 35A 30W TO220FL，包括35A集流器Ic Max，设计用于37nC栅极充电，IGBT类型如数据表注释所示，用于沟槽，提供输入型功能，如标准型，安装型设计用于通孔，以及to-220-3全封装外壳，该装置也可以用作管包装。此外，功率最大值为40W，该器件提供100ns反向恢复时间trr，该器件具有供应商器件包的TO-220FL，开关能量为200μJ（开）、210μJ（关），25°C时的Td为35ns/80ns，测试条件为300V、17A、5 Ohm、15V，最大Vge Ic上的Vce为2.2V@15V、17V，集电极-发射极击穿最大值为600V。
