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IRGIB15B60KD1P是IGBT 600V 19A 52W TO220FP，包括管式封装，其设计可在单位重量为0.081130 oz的情况下工作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-220-3全封装等封装外壳功能，输入型设计为标准型，以及通孔安装型，该设备也可以用作TO-220AB全包供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备的最大功率为52W，该设备具有67ns的反向恢复时间trr，集电器Ic最大值为19A，集电器发射极击穿最大值为600V，IGBT类型为NPT，集电器脉冲Icm为38A，最大Vge Ic上的Vce为2.2V@15V，15A，开关能量为127μJ（开），334μJ（关），栅极电荷为56nC，25°C时的Td为30ns/173ns，测试条件为400V、15A、22Ohm、15V，Pd功耗为52W，最低工作温度范围为-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为600 V，集电极/发射极饱和电压为1.8 V，25 C时的连续集电极电流为19 A，最大栅极-发射极电压为+/-20V。
翼板10b60kd1pbf。带有IR制造的用户指南。IRGIB10B60KD1PBF。TO-220封装中提供，是IC芯片的一部分。
IRGIB15B60KD1是由IR制造的IGBT 600V 19A 52W TO220FP。IRGIB15B 60KD1采用TO-220-3全包封装，是IGBT的一部分-单体，并支持IGBT 600V 19A52W TO220FP。
IRGIB15B60KD1PBF带有由IR制造的EDA/CAD模型。IRGIB15B 60KD1PBF采用TO-220F封装，是IC芯片的一部分。
