9icnet为您提供由Renesas Electronics America Inc设计生产的RJH60D6DPM-00#T1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂、代理商等渠道购买。RJH60D6DPM-00#T1参考价格$3.40248。Renesas Electronics America Inc RJH60D6DPM-00#T1封装/规格：IGBT 600V 80A 50W TO-3PFM。您可以下载RJH60D6DPM-00#T1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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RJH60D5DPM-00#T1，带有引脚细节，包括管封装，它们设计用于to-3PFM、SC-93-3封装盒，输入类型如数据表注释所示，用于标准，提供安装类型功能，如通孔，供应商设备封装设计用于to-3 PFM，以及45W最大功率，该设备也可以用作100ns反向恢复时间trr。此外，电流收集器Ic最大值为75A，该器件提供600V电压收集器-发射器击穿最大值，该器件具有IGBT型沟槽，最大Vge Ic上的Vce为2.2V@15V，37A，开关能量为650μJ（开）、270μJ（关），栅极电荷为78nC，25°C下的Td为50ns/135ns，测试条件为300V、37A、5欧姆、15V。
RJH60D6DPK-00#T0，带有用户指南，包括600V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在最大Vge Ic上以2.2V@15V、40A Vce运行，测试条件如数据表注释所示，用于300V、40V、5欧姆、15V，提供Td开-关25°C功能，如50ns/160ns，开关能量设计为在850μJ（开）、600μJ（关）下工作，以及TO-3P供应商设备包，该设备也可以用作100ns反向恢复时间trr。此外，最大功率为260W，器件采用管式封装，器件具有TO-3P-3、SC-65-3封装盒，安装类型为通孔，输入类型为标准，IGBT类型为沟槽，栅极电荷为104nC，集流器Ic最大值为80A。
RJH60D5DPK-00#T0是IGBT 600V 75A 200W TO3P，包括75A集流器Ic Max，设计用于78nC栅极充电，IGBT类型如数据表注释所示，用于沟槽，提供输入类型功能，如标准，安装类型设计用于通孔，以及to-3P-3、SC-65-3封装盒，该设备也可用作管封装。此外，功率最大值为200W，器件提供100ns反向恢复时间trr，器件具有供应商器件封装的TO-3P，开关能量为650μJ（开）、400μJ（关），25°C时的Td为50ns/135ns，测试条件为300V、37A、5 Ohm、15V，最大Vge Ic上的Vce为2.2V@15V、37V，集电极-发射极击穿最大值为600V。
