特色
- 150°C结温
- 低集电极到发射极饱和电压
- 沟槽栅极和薄晶圆技术
- 高速切换
应用
电源管理
RJH65D27BDPQ-A0#T2
- 描述:IGBT型: 沟槽 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 100 A 最大功率: 375瓦 供应商设备包装: TO-247A 工作温度: 175摄氏度（TJ）
- 品牌: 瑞萨电子 (Renesas)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 9000
- 单价: ¥55.17770
-
数量:
- +
- 总计: ¥55.18
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 集电极击穿电压 650 V
- 输入类别 标准
- 安装类别 通孔
- 包装/外壳 至247-3
- 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
- 最大整流电流 (Icm) -
- IGBT型 沟槽
- 最大集电极电流 (Ic) 100 A
- 门电荷 175 nC
- 试验条件 400V, 50A, 10欧姆, 15V
- 反向恢复时长 (trr) 80 ns
- 工作温度 175摄氏度（TJ）
- 最大功率 375瓦
- 供应商设备包装 TO-247A
- 开通/关断延时 (25°C) 20ns/165ns
- 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 1.65V@15V，50A
- 开关能量 1mJ (on), 1.5mJ (off)
RJH65D27BDPQ-A0#T2 产品详情
RJH60F0DPQ-A0#T0是一个600V IGBT，具有高速功率开关和内置快速恢复二极管。
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RJH65D27BDPQ-A0#T2所属分类：单绝缘栅双极晶体管（IGBT），RJH65D27BDPQ-A0#T2 由 瑞萨电子 (Renesas) 设计生产，可通过久芯网进行购买。RJH65D27BDPQ-A0#T2价格参考￥55.177701，你可以下载 RJH65D27BDPQ-A0#T2中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询RJH65D27BDPQ-A0#T2规格参数、现货库存、封装信息等信息！
瑞萨电子 (Renesas)
Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新，使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式&mdash；安全可靠。作为微控制器...
