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NTK3139PT1G是MOSFET P-CH 20V 0.66A SOT-723，包括NTK3139P系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代封装封装，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供封装外壳功能，如SOT-723，技术设计用于Si，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数为1信道，该设备在SOT-723供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，FET类型为MOSFET P信道、金属氧化物，最大功率为310mW，晶体管类型为1 P信道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为170pF@16V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为660mA（Ta），最大Id Vgs的Rds为480mOhm@780mA，4.5V，Vgs最大Id为1.2V@250μA，Pd功耗为310mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为5.8ns，上升时间为5.8s，Vgs栅源电压为6V，Id连续漏极电流为-780mA，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Rds导通漏极-漏极电阻为380mOhms，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为32.7ns，典型接通延迟时间为9ns，正向跨导最小值为1.2S，沟道模式为增强型。
NTK3134NT5H是MOSFET，包括20 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计用于1 N沟道晶体管类型，晶体管极性显示在数据表注释中，用于N沟道，提供Si等技术特性，系列设计用于NTK3134N，以及350 mOhms Rds漏极源极电阻，该装置也可以用作卷筒包装。此外，封装外壳为SOT-723-3，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有890 mA的Id连续漏电流。
NTK3139PT5G是ON公司生产的MOSFET P-CH 20V 660MA SOT-723。NTK3139PT 5G采用SOT-723封装，是FET的一部分-单个，支持MOSFET P-CH20V 660MA SOT-723、Trans MOSFET P-CH220V 0.78A 3-Pin SOT-723T/R。
NTK3142PT1G是ON公司生产的MOSFET P-CH 20V 0.21A SOT-723。NTK3142PT 1G采用SOT-723封装，是FET的一部分-单个，支持MOSFET P-CH20V 0.21A SOT-723、P沟道20V 215mA（Ta）280mW（Ta）表面安装SOT-723、Trans-MOSFET P-CH20V0.26A 3-Pin SOT-723T/R。
