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FDP12N60NZ是MOSFET N-CH 600V 12A TO-220，包括管封装，它们设计用于0.063493盎司单位重量的操作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供TO-220-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，Pd功耗为240W，器件的下降时间为60ns，器件的上升时间为50ns，Vgs栅极-源极电压为30V，Id连续漏极电流为12A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs栅-源极阈值电压为5V，Rds漏极源极电阻为530mOhms，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为26nC，正向跨导Min为13.5S。
FDP12N60C，带有FSC制造的用户指南。FDP12N60C采用TO-220封装，是IC芯片的一部分。
FDP12P10，带有FSC制造的电路图。FDP12P10采用TO220封装，是IC芯片的一部分。
