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2N4867是JFET N沟道50mA，包括通孔安装型，它们设计用于to-72-3封装外壳，技术如数据表注释所示，用于Si，提供配置功能，如单级，Pd功耗设计用于300 mW，以及1 uA Id连续漏电流，该器件也可以用作20V Vds漏极-源极击穿电压。此外，晶体管极性为N沟道，器件提供700μS正向跨导最小值，器件具有-40 V的Vgs栅源击穿电压，漏极到源极电压Vdss为1.2 mA，栅源截止电压为-2 V。
2N4868是JFET N沟道50mA，包括-40 V Vgs栅极-源极击穿电压，它们设计为在20 V Vds漏极-源极电压下工作。晶体管极性如数据表注释所示，用于N沟道，提供Si、Pd等技术特性。功耗设计为300 mW，以及to-72-3封装外壳，该装置也可以用作通孔安装型。此外，Id连续漏极电流为1 uA，该器件提供-3 V栅极-源极截止电压，该器件具有1000 uS的正向跨导最小值，漏极-源极电压Vdss为3 mA，配置为单一。
2N4865是由Microsemi制造的双极晶体管-BJT NPN晶体管。2N4865在CAN3封装中提供，是晶体管-双极（BJT）-RF的一部分，并支持双极晶体管-BJT NPN晶体管、双极（BJ）晶体管。
