
UJ3N120065K3S
- 描述:场效应管类型: n通道 击穿电压(V(BR)GSS): 1200伏 最大功率: 254 W 电阻-RDS(On): 55 mOhms 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
- 品牌: 碳化硅(SiC)功率半导体制造商 (UnitedSiC)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 125.15731 | 125.15731 |
10+ | 115.01725 | 1150.17252 |
100+ | 97.13887 | 9713.88780 |
500+ | 86.41214 | 43206.07150 |
1000+ | 81.26533 | 81265.33800 |
- 库存: 1320
- 单价: ¥125.15731
-
数量:
- +
- 总计: ¥125.16
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 安装类别 通孔
- 制造厂商 碳化硅(SiC)功率半导体制造商 (UnitedSiC)
- 击穿电压(V(BR)GSS) 1200伏
- 漏源电压标 (Vdss) 1200伏
- 关闭电压 (VGS off) @ Id -
- 最大功率 254 W
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
- 包装/外壳 至247-3
- 供应商设备包装 TO-247-3
- 漏极截止电流 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 5 A @ 1200 V
- 最大正向电流 (Id) 34 A
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 100V时为1008皮法
- 电阻-RDS(On) 55 mOhms
UJ3N120065K3S所属分类:结栅场效应晶体管 (JFET),UJ3N120065K3S 由 碳化硅(SiC)功率半导体制造商 (UnitedSiC) 设计生产,可通过久芯网进行购买。UJ3N120065K3S价格参考¥125.157312,你可以下载 UJ3N120065K3S中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询UJ3N120065K3S规格参数、现货库存、封装信息等信息!
碳化硅(SiC)功率半导体制造商 (UnitedSiC)

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