9icnet为您提供由onsemi设计和生产的PN4117A_J61Z，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。PN4117A_J61Z价格参考17.567648美元。onsemi PN4117A_J61Z包装/规格：JFET N-CH 40V 0.35W TO92。您可以下载PN4117A_J61Z英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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2N4117A是MOSFET N-CH 40V 30UA TO-206AF，包括散装封装，它们设计用于通孔安装方式，封装盒如数据表注释所示，用于TO-206A F、TO-72-4金属罐，提供Si等技术特性，安装类型设计用于通孔中，以及TO-206AF（TO-72）供应商设备封装，该设备也可以用作单一配置。此外，FET类型为N沟道，该器件的最大功率为300mW，该器件具有40V的电压击穿V BRGSS，电流漏Idss Vds Vgs=0为30μa@10V，电压截止Vgs关断Id为600mV@1nA，输入电容Ciss Vds为3pF@10V、Pd功耗为300mW、Id连续漏电流为1 nA，Vds漏极-源极击穿电压为10V，晶体管极性为N沟道，正向跨导Min为70uS，Vgs栅极-源极耐压为-40V，栅极-源截止电压为-1.8V。
2N4117是JFET N沟道硅JFET晶体管，包括-40 V Vgs栅极-源极击穿电压，它们设计为在-40 V Vds漏极-源极电压下工作。晶体管极性如数据表注释所示，用于N沟道，提供Si、Pd等技术特性。功耗设计为300 mW，以及to-72-3封装外壳，该器件也可以用作通孔安装型，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+125℃，该器件的最大漏极-栅极电压为-40 V，Id连续漏极电流为50 mA，栅极-源极截止电压为-1.8 V，正向跨导最小值为70 uS，并且漏极到源极电压Vdss为90uA，并且配置为单一。
2N4104是双极晶体管-BJT JFET N-Ch，包括散装封装，它们设计用于2N4101系列。
2N4093UB，带有Microsemi制造的EDA/CAD模型。是JFET（结场效应）的一部分，并支持JFET N沟道JFET、JFET N道40V 360mW表面安装3-UB（3.09x2.45）。
