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MMBFJ175LT3G

  • 描述:场效应管类型: P-通道 击穿电压(V(BR)GSS): 30伏 最大功率: 225毫瓦 电阻-RDS(On): 125欧姆 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 10000

数量 单价 合计
1+ 1.75297 1.75297
10+ 1.41835 14.18355
30+ 1.27500 38.25012
100+ 1.09613 109.61330
500+ 1.01647 508.23800
1000+ 0.96865 968.65800
  • 库存: 9940
  • 单价: ¥1.75298
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥9,686.58
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规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 击穿电压(V(BR)GSS) 30伏
  • 最大正向电流 (Id) -
  • 最大功率 225毫瓦
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 包装/外壳 至236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备包装 SOT-23-3 (TO-236)
  • 漏源电压标 (Vdss) -
  • 场效应管类型 P-通道
  • 漏极截止电流 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 7 mA @ 15 V
  • 关闭电压 (VGS off) @ Id 3 V @ 10 nA
  • 电阻-RDS(On) 125欧姆
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 10V时为11皮法(VGS)

MMBFJ175LT3G 产品详情

该P沟道JFET器件设计用于模拟开关和斩波器应用。

特色

  • 低rDS(开启)提供更高的效率并延长电池寿命
  • 小型SOT-23表面安装封装节省了电路板空间
  • 这些设备不含铅、不含卤素、不含BFR且符合RoHS


(图片:引出线)

MMBFJ175LT3G所属分类:结栅场效应晶体管 (JFET),MMBFJ175LT3G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。MMBFJ175LT3G价格参考¥1.752977,你可以下载 MMBFJ175LT3G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询MMBFJ175LT3G规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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