9icnet为您提供由onsemi设计和生产的TF252TH-5-TL-H，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。TF252TH-5-TL-H参考价格$23.373204。onsemi TF252TH-5-TL-H包装/规格：JFET N-CH 0.1W 3VTFP。您可以下载TF252TH-5-TL-H英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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TF252TH-4-TL-H是JFET N-CH 1MA 100MW VTFP，包括TF252TH系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）封装，安装样式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供封装外壳功能，如3-SMD、扁平引线、安装类型设计用于表面安装，以及3-VTFP供应商设备封装，该器件也可以用作N沟道FET型。此外，功率最大值为100mW，器件提供140μA@2V漏电流Idss Vds Vgs=0，器件的漏电流Id最大值为1mA，电压切断Vgs关断Id为100mV@1μA，输入电容Ciss Vds为3.1pF@2V，Pd功耗为100mW。器件的最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-55 C，Id连续漏极电流为1mA，Vds漏极-源极击穿电压为2V，晶体管极性为N沟道，Vgs栅极-源极耐压为-20V，栅极-源截止电压为-0.4V。
TF252TH-4A-TL-H是JFET N-CH 1MA 100MW，包括100mV@1μA电压切断VGS关断Id，它们设计用于VTFP供应商设备包，数据表说明中显示了用于100MW的最大功率，该设备提供了磁带和卷轴（TR）等封装功能，包壳设计用于3-SMD、扁平引线以及表面安装安装型，该器件也可以用作3.1pF@2V输入电容Cis-Vds。此外，FET类型为N沟道，器件提供140μA@2V漏电流Idss Vds Vgs=0，器件具有1mA的漏电流Id Max。
TF252TH-5-H-TL-H，电路图由SANYO制造。TF252TH-5-H-TL-H在VTFP封装中提供，是IC芯片的一部分。
