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NXH350N100H4Q2F2S1G

  • 描述:IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三电平逆变器 集电极击穿电压: 1000伏 最大集电极电流 (Ic): 303 A 最大功率: 276 W 供应商设备包装: 42-PIM/Q2PACK (93x47)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 2

数量 单价 合计
36+ 1452.09077 52275.26800
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  • 单价: ¥1,452.09281
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥2,904.19
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • IGBT型 场终止沟道
  • 输入值 标准
  • 安装类别 机箱安装
  • 包装/外壳 模块
  • 集电极最大截止电流 1毫安
  • 工作温度 -40摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • NTC热敏电阻 Yes
  • 参数配置 三电平逆变器
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 集电极击穿电压 1000伏
  • 最大集电极电流 (Ic) 303 A
  • 输入电容 (Cies) @ Vce 24.146 nF @ 20 V
  • 供应商设备包装 42-PIM/Q2PACK (93x47)
  • 最大功率 276 W
  • 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.3V @ 15V, 375A

NXH350N100H4Q2F2S1G 产品详情

NXH350N100H4Q2F2S1G所属分类:绝缘栅双极晶体管(IGBT)模块,NXH350N100H4Q2F2S1G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NXH350N100H4Q2F2S1G价格参考¥1452.092807,你可以下载 NXH350N100H4Q2F2S1G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NXH350N100H4Q2F2S1G规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

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onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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