9icnet为您提供由松下电子元件公司设计和生产的DSK9J01P0L,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。DSK9J01P0L参考价格为5.617502美元。松下电子元件DSK9J01P0L包装/规格:JFET N-CH 30MA 125MW SSMINI3。您可以下载DSK9J01P0L英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DSK5J01P0L是JFET N-CH 30MA 150MW SMINI3-F2-B,包括Digi-ReelR替代包装包装,它们设计用于SMD/SMT安装方式,包装箱如数据表说明所示,用于SC-85,提供表面安装等安装类型功能,供应商设备包设计用于SMINI3-F2-B以及单配置,该器件也可以用作N沟道FET型。此外,功率最大值为150mW,该器件提供55V漏极到源极电压Vdss,该器件具有1mA@10V的电流漏极Idss Vds Vgs=0,电流漏极Id最大值为30mA,电压截止Vgs关断Id为5V@10μa,输入电容Ciss Vds为6pF@10V,Pd功耗为150mW。其最大工作温度范围为+85 C,它的最小工作温度范围为-40℃,Id连续漏电流为30 mA,晶体管极性为N沟道,正向跨导最小值为2.5 mS,Vgs栅源击穿电压为-55 V,栅源截止电压为-5 V。
DSK5J01Q0L是JFET N-CH 30MA 150MW SMINI3-F2-B,包括5V@10μA电压切断VGS关断Id,它们设计为在-55V VGS栅极-源极击穿电压下工作,晶体管极性如数据表注释所示,用于N通道,提供供应商设备包功能,如SMINI3-F2-B。功率最大设计为150MW,该器件还可以用作Digi-ReelR替代包装包装。此外,封装外壳为SC-85,该器件为SMD/SMT安装型,该器件具有安装型表面安装,最低工作温度范围为-40℃,最高工作温度范围+85℃,输入电容Ciss Vds为6pF@10V,Id连续漏极电流为30 mA,栅源截止电压为-5 V,正向跨导最小值为2.5mS,FET类型为N沟道,漏极到源极电压Vdss为55V,电流漏极Idss-Vds-Vgs=0为2mA@110V,电流漏极Id最大值为30mA,配置为单。
DSK5J01R0L是JFET结型FET,包括30mA漏极到源极电压Vdss,它们设计为在-5 V栅极-源极截止电压下工作,数据表说明中显示了SMini3-F2-B中使用的封装情况,该SMini3-F1-B提供了卷盘、Pd功耗等封装功能,设计为在150mW下工作,该器件也可以用作-55V Vgs栅源击穿电压。