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FF225R17ME3BOSA1

  • 描述:IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 半桥逆变器 集电极击穿电压: 1700伏 最大集电极电流 (Ic): 340 A 最大功率: 1400 W 供应商设备包装: Module
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 3

数量 单价 合计
10+ 1484.79450 14847.94500
  • 库存: 19
  • 单价: ¥989.88714
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥2,969.66
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规格参数

  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • IGBT型 场终止沟道
  • 输入值 标准
  • 工作温度 -40摄氏度~125摄氏度
  • 安装类别 机箱安装
  • 包装/外壳 模块
  • 供应商设备包装 Module
  • NTC热敏电阻 Yes
  • 部件状态 不适用于新设计
  • 集电极击穿电压 1700伏
  • 集电极最大截止电流 3毫安
  • 参数配置 半桥逆变器
  • 最大集电极电流 (Ic) 340 A
  • 最大功率 1400 W
  • 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.45V @ 15V, 225A
  • 输入电容 (Cies) @ Vce 20.5 nF @ 25 V

FF225R17ME3BOSA1 产品详情

经济双重™ 3 1700V双IGBT模块,带沟槽/场阻IGBT3和发射极控制3二极管

特色

  • 直流和交流易于分离
  • 优化散热片热阻情况
  • 紧凑型逆变器设计的最高功率密度
  • 紧凑型模块
  • 易于和最可靠的组装
  • 无需插头和电缆
  • 低电感系统设计的理想选择

应用

潜在应用

         
FF225R17ME3BOSA1所属分类:绝缘栅双极晶体管(IGBT)模块,FF225R17ME3BOSA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FF225R17ME3BOSA1价格参考¥989.887143,你可以下载 FF225R17ME3BOSA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FF225R17ME3BOSA1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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