特色
- 低IGSS最大1.0nA
- 低泄漏JFET高灵敏度传感器模块
- 低IDSS 0.6-3.0mA
- 通过低漏极电流JFET降低功耗
应用
- 低频通用放大器和阻抗转换器
2SK3666-4-TB-E
- 描述:场效应管类型: n通道 击穿电压（V（BR）GSS）: 30伏 最大功率: 200毫瓦 电阻-RDS(On): 200欧姆 供应商设备包装: SMCP 工作温度: 150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 0
- 单价: ¥47.78865
-
数量:
- +
- 总计: ¥47.79
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 场效应管类型 n通道
- 击穿电压（V（BR）GSS） 30伏
- 漏源电压标 (Vdss) 30伏
- 安装类别 表面安装
- 包装/外壳 至236-3，SC-59，SOT-23-3
- 工作温度 150摄氏度（TJ）
- 最大功率 200毫瓦
- 供应商设备包装 SMCP
- 部件状态 过时的
- 最大正向电流 (Id) 10毫安
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 4皮法 @ 10V
- 关闭电压 (VGS off) @ Id 180 mV @ 1 A
- 电阻-RDS(On) 200欧姆
- 漏极截止电流 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 2.5 mA @ 10 V
2SK3666-4-TB-E 产品详情
2SK3666-4-TB-E是N通道JFET，30V，0.6至6.0mA，6.5mS，CP用于低频、通用放大器和阻抗转换应用。
2SK3666-4-TB-E 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | 2SK1958-T1-A | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SK1958-T1-A - N-CHANNEL MOS FET | ¥0.44971 |
| 2SK1581-T1B-A | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SK1581-T1B-A - SWITCHING N-CHAN | ¥1.17284 |
| 2SK3377-Z-AZ | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SK3377-Z-AZ - SWITCHING N-CHANN | ¥5.55827 |
| 2SK2054-T1-AZ | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SK2054 - SWITCHING P-CHANNEL PO | ¥5.56219 |
| 2SK3435-AZ | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SK3435-AZ - SWITCHING N-CHANNEL | ¥17.40049 |
| 2SK3435-Z-AZ | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SK3435-Z-AZ - SWITCHING N-CHANN | ¥17.40049 |
| 2SK3431-AZ | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SK3431-AZ - SWITCHING N-CHANNEL | ¥19.13277 |
| 2SK2461-AZ | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SK2461 - SILICON N CHANNEL MOSF | ¥19.96158 |
| 2SK3447TZ-E | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SK3447TZ-E - SILICON N CHANNEL | ¥2.75629 |
| 2SK3455B-S17-AY | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SK3455B - SWITCHING N-CHANNEL P | ¥22.44698 |
2SK3666-4-TB-E所属分类：结栅场效应晶体管 (JFET)，2SK3666-4-TB-E 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。2SK3666-4-TB-E价格参考￥47.788654，你可以下载 2SK3666-4-TB-E中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询2SK3666-4-TB-E规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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