9icnet为您提供由onsemi设计和生产的MMBF5458，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MMBF5458参考价格为25.100514美元。onsemi MMBF5458包装/规格：JFET N-CH 25V 350MW SOT23。您可以下载MMBF5458英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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MMBF5457是JFET N-CH 25V 350MW SOT23，包括Digi-ReelR替代包装包装，它们设计用于MMBF5457_NL零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.002116盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装箱设计用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3以及表面安装安装类型，该装置也可用作SOT-23-3供应商装置包。此外，该配置为单一配置，该器件为N沟道FET型，该器件的最大功率为350mW，电压击穿V BRGSS为25V，电流漏极Idss Vds Vgs=0为1mA@15V，电压截止Vgs关断Id为500mV@10nA，输入电容Ciss Vds为7pF@15V、Pd功耗为350mW、晶体管极性为N沟，并且正向跨导最小值为0.001S至0.005S，Vgs栅源击穿电压为-25V，栅源截止电压为-6V。
MMBF5457LT1是JFET N-CH 25V 0.225W SOT23，包括500mV@10nA电压切断VGS关断Id，设计用于25V电压击穿V BRGSS，数据表说明中显示了用于SOT-23-3（to-236）的供应商设备包，该产品提供225mW等最大功率特性，包装设计用于切割胶带（CT），以及to-236-3、SC-59、SOT-23-2包装箱，该装置也可以用作表面安装型。此外，输入电容Ciss Vds为7pF@15V，该器件为N沟道FET型，该器件具有25V的漏极到源极电压Vdss，电流漏极Idss Vds Vgs=0为1mA@15V。
MMBF5457LT1G是JFET N-CH 25V 0.225W SOT23，包括1mA@15V电流漏极Idss Vds Vgs=0，它们设计用于25V漏极到源极电压Vdss，FET类型如数据表注释所示，用于N通道，提供输入电容Cis-Vds特性，如7pF@15V，安装类型设计用于表面安装，以及to-236-3、SC-59、，SOT-23-3包装箱，该设备也可以用作Digi-ReelR包装。此外，最大功率为225mW，该设备采用SOT-23-3（TO-236）供应商设备包，该设备具有25V的电压击穿V BRGSS，电压切断VGS关闭Id为500mV@10nA。
