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IKA08N65ET6XKSA1

  • 描述:IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 11 A 最大功率: 33瓦 供应商设备包装: PG-TO220-3-FP 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 11.29892 11.29892
10+ 10.09660 100.96603
100+ 7.87013 787.01350
500+ 6.50122 3250.61350
1000+ 5.95076 5950.76700
  • 库存: 0
  • 单价: ¥11.22650
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥11.30
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规格参数

  • 集电极击穿电压 650 V
  • 输入类别 标准
  • 工作温度 -40摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 安装类别 通孔
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • IGBT型 场终止沟道
  • 包装/外壳 TO-220-3全套
  • 部件状态 不适用于新设计
  • 最大整流电流 (Icm) 25 A
  • 最大功率 33瓦
  • 反向恢复时长 (trr) 43纳秒
  • 最大集电极电流 (Ic) 11 A
  • 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 1.9V@15V,5A
  • 开关能量 110J(开),40J(关闭)
  • 门电荷 17 nC
  • 开通/关断延时 (25°C) 20ns/59ns
  • 试验条件 400V, 5A, 47欧姆, 15V
  • 供应商设备包装 PG-TO220-3-FP

IKA08N65ET6XKSA1 产品详情

高速650 V,8 A硬开关TRENCHSTOPTM IGBT5与RAPID 1快速和软反并联二极管一起封装在TO-247封装中,被定义为“同类最佳”IGBT。

特色

  • 650 V击穿电压
  • 与同类最佳的HighSpeed 3系列相比
  • 系数2.5较低Qg
  • 因素2开关损耗的减少
  • VCEsat降低200mV
  • 与Rapid Si二极管技术共封装
  • 低COES/EOSS
  • 温和正温度系数VCEsat
  • Vf的温度稳定性
  • 一流的效率,可降低结温和外壳温度,从而提高器件可靠性
  • 在不影响可靠性的情况下,母线电压可能增加50 V
  • 更高的功率密度设计

应用

潜在应用

      

IKA08N65ET6XKSA1所属分类:单绝缘栅双极晶体管(IGBT),IKA08N65ET6XKSA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IKA08N65ET6XKSA1价格参考¥11.226495,你可以下载 IKA08N65ET6XKSA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IKA08N65ET6XKSA1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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