英飞凌的一系列IGBT晶体管，集电极-发射极电压额定值为600和650V，采用TrenchStop™ 技术该系列包括具有集成高速、快速恢复反并联二极管的器件。
•集电极-发射极电压范围600至650V
•非常低的VCEsat
•低关断损耗
•短尾电流
•低EMI
•最高结温175°C
特色
- 低开关损耗，实现高效率
- 卓越的Vce（sat）性能得益于著名的Infineon TRENCHSTOP™ 技术
- 具有低EMI发射的快速开关行为
- 针对目标应用的优化二极管，意味着开关损耗的进一步改善
- 可以选择低栅极电阻（低至5Ω），同时保持良好的开关性能
- 短路能力5µs
- 提供175°C的Tj（最大值）
- 带和不带续流二极管的封装，增加了设计自由度
- 低开关和传导损耗
- EMI性能非常好
- 可与小栅极电阻器一起使用，以减少延迟时间和电压过冲
- 高电流密度
- 一流的600 V IGBT效率和EMI性能
应用
潜在应用
