9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FGB40N6S2，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。FGB40N6S2参考价格为13.744美元。onsemi FGB40N6S2封装/规格：IGBT 600V 75A 290W TO263AB。您可以下载FGB40N6S2英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FGB40N60SM是IGBT 600V 80A 349W D2PAK，包括Digi-ReelR替代包装包装，它们设计用于0.046296盎司单位重量的操作，安装类型如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供封装盒功能，如to-263-3、D2PAK（2引线+接线片）、to-263AB，输入类型设计用于标准，以及表面安装安装类型，该设备也可以用作TO-263AB（D2PAK）供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备的功率最大为349W，该设备具有80A的电流收集器Ic Max，电压收集器发射极击穿最大值为600V，IGBT类型为磁场停止，电流收集器脉冲Icm为120A，最大Vge Ic上的Vce为2.3V@15V，40A，开关能量为870μJ（开），260μJ（关），栅极电荷为119nC，25°C时的Td为12ns/92ns，测试条件为400V、40A、6 Ohm、15V，Pd功耗为349 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为600 V，集电极/发射极饱和电压为2.3 V，25 C时的连续集电极电流为80 A，栅极发射极漏电流为+/-400nA，最大栅极发射极电压为+/-20V。
FGB3245G2_F085带用户指南，包括450V电压收集器-发射器击穿最大值，设计用于在1.25V@4V、6A Vce on Max Vge Ic下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.046296盎司，提供Td开关25°C功能，如900ns/5.4μs，供应商设备包设计用于to-263AB，以及汽车、AEC-Q101、EcoSPARKR系列，该设备也可作为150W最大功率使用。此外，Pd功耗为150W，该设备采用Digi-ReelR交替封装，该设备具有TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装盒，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，其最低工作温度范围为-40℃，它的最大工作温度范围为+175 C，最大栅极-发射极电压为+/-10 V，输入类型为逻辑，栅极电荷为23nC，集电极Ic Max为23A，连续集电极电流Ic Max是23A，在25 C时的连续集电极电压为23A，集电极-发射极饱和电压为1.64V。
FGB3440G2_F085带有电路图，包括1.6V集电极-发射极饱和电压，它们设计为在400V集电极-发射器电压VCEO最大值下工作，配置如数据表注释所示，用于单体，提供25 C的连续集电极电流，如26.9 a，连续集电极电流Ic最大值设计为25 a，以及26.9A电流收集器Ic Max，该器件也可以用作24nC栅极电荷。此外，输入类型为逻辑，器件提供+/-10 V最大栅极发射极电压，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-40 C，安装类型为表面安装，安装样式为SMD/SMT，封装外壳为TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB、，包装为Digi-ReelR交替包装，Pd功耗为166 W，最大功率为166W，系列为Automotive、AEC-Q101、EcoSPARKR，供应商设备包装为TO-263AB，25°C时的Td为1μs/5.3μs，单位重量为0.046296 oz，最大Vge Ic上的Vce为1.2V@4V，6A，电压收集器-发射器击穿最大值为400V。
