9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的SGB15N60ATMA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SGB15N60ATMA1参考价格为7.966美元。英飞凌科技SGB15N60ATMA1封装/规格：IGBT 600V 31A 139W TO263-3。您可以下载SGB15N60ATMA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SGB15N120ATMA1是IGBT 1200V 30A 198W TO263-3，包括磁带和卷轴（TR）封装，它们设计用于to-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、to-263AB封装盒，输入类型显示在数据表注释中，用于标准，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备封装设计用于PG-TO263-3，以及198W最大功率，该器件还可以用作30A集流器Ic最大值。此外，集流器发射极击穿最大值为1200V，该器件为NPT IGBT型，该器件具有52A集流脉冲Icm，最大Vge Ic上的Vce为3.6V@15V，15A，开关能量为1.9mJ，栅极电荷为130nC，25°C下的Td为18ns/580ns，测试条件为800V，15A，33欧姆，15伏。
SGB15N120是IGBT 1200V 30A 198W TO263-3，包括0.068654 oz单位重量，它们设计用于SGB15N220系列，数据表注释中显示了用于SGB115N120ATMA1 SGB15N1 20XT SP000012560的零件别名，该产品提供卷盘等包装功能，包装箱设计用于to-263-3，以及SMD/SMT安装样式，它的最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，器件的最大栅极-发射极电压为+/-20 V，器件的持续集电极电流Ic Max为30 a，配置为单一，集电极-发射极最大电压VCEO Max为1200 V。
SGB15N60是由INF制造的600V 31A 139W TO263-3型IGBT。SGB15N80可提供TO-263-3，D²Pak（2引线+接线片），TO-263AB封装，是IGBT的一部分-单个，并支持IGBT 600V 31A 139 W TO263-2。
