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IKP15N65F5XKSA1

  • 描述:集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 30 A 最大功率: 105瓦 供应商设备包装: PG-TO220-3 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 20.42497 20.42497
10+ 18.34626 183.46266
100+ 14.74871 1474.87170
500+ 12.11737 6058.68600
1000+ 12.04204 12042.04600
  • 库存: 0
  • 单价: ¥17.88996
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥20.42
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • IGBT型 -
  • 集电极击穿电压 650 V
  • 输入类别 标准
  • 工作温度 -40摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 安装类别 通孔
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 最大集电极电流 (Ic) 30 A
  • 包装/外壳 至220-3
  • 反向恢复时长 (trr) 50 ns
  • 门电荷 38 nC
  • 最大整流电流 (Icm) 45 A
  • 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.1V @ 15V, 15A
  • 最大功率 105瓦
  • 试验条件 400V, 7.5A, 39欧姆, 15V
  • 供应商设备包装 PG-TO220-3
  • 开关能量 130J (on), 40J (off)
  • 开通/关断延时 (25°C) 17ns/150ns

IKP15N65F5XKSA1 产品详情

Infineon TrenchStop IGBT晶体管,600和650V

英飞凌的一系列IGBT晶体管,集电极-发射极电压额定值为600和650V,采用TrenchStop™ 技术该系列包括具有集成高速、快速恢复反并联二极管的器件。

•集电极-发射极电压范围600至650V
•非常低的VCEsat
•低关断损耗
•短尾电流
•低EMI
•最高结温175°C

特色

  • 650 V击穿电压
  • 与同类最佳的HighSpeed 3系列相比
  • 系数2.5较低Qg
  • 因素2开关损耗的减少
  • VCEsat降低200mV
  • 与Rapid Si二极管技术共封装
  • 低COES/EOSS
  • 温和正温度系数VCEsat
  • Vf的温度稳定性
  • 一流的效率,导致更低的连接和
    外壳温度可提高设备可靠性
  • 母线电压可能增加50 V,但不会影响
    可靠性
  • 更高的功率密度设计

应用

  • 不间断电源(UPS)系统
  • 工业加热和焊接
IKP15N65F5XKSA1所属分类:单绝缘栅双极晶体管(IGBT),IKP15N65F5XKSA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IKP15N65F5XKSA1价格参考¥17.889963,你可以下载 IKP15N65F5XKSA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IKP15N65F5XKSA1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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