英飞凌的一系列IGBT晶体管,集电极-发射极电压额定值为600和650V,采用TrenchStop™ 技术该系列包括具有集成高速、快速恢复反并联二极管的器件。
•集电极-发射极电压范围600至650V
•非常低的VCEsat
•低关断损耗
•短尾电流
•低EMI
•最高结温175°C
特色
- 650 V击穿电压
- 与同类最佳的HighSpeed 3系列相比
- 系数2.5较低Qg
- 因素2开关损耗的减少
- VCEsat降低200mV
- 与Rapid Si二极管技术共封装
- 低COES/EOSS
- 温和正温度系数VCEsat
- Vf的温度稳定性
- 一流的效率,导致更低的连接和
外壳温度可提高设备可靠性 - 母线电压可能增加50 V,但不会影响
可靠性 - 更高的功率密度设计
应用
- 不间断电源(UPS)系统
- 工业加热和焊接