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SKB02N120ATMA1是IGBT 1200V 6.2A 62W TO263-3-2，包括磁带和卷轴（TR）封装，它们设计为与to-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、to-263AB封装盒一起工作，输入类型显示在数据表注释中，用于标准，提供安装类型功能，如表面安装，供应商设备封装设计为在PG-TO263-3-2中工作，以及62W最大功率，该设备也可以用作50ns反向恢复时间trr。此外，集电器Ic最大值为6.2A，该器件提供1200V集电器发射极击穿最大值，该器件具有IGBT型NPT，集电器脉冲Icm为9.6A，最大Vge Ic上的Vce为3.6V@15V，2A，开关能量为220μJ，栅极电荷为11nC，25°C下的Td为23ns/260ns，测试条件为800V，2A、91 Ohm，15V。
SKB02N60ATMA1是IGBT 600V 6A 30W TO263-3，包括600V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在2.4V@15V、2A Vce on Max Vge Ic下工作，测试条件如数据表注释所示，用于400V、2A、118 Ohm、15V，提供25°C的Td通断特性，如20ns/259ns，开关能量设计为在64μJ下工作，以及PG-TO263-3供应商设备包，该设备也可以用作130ns反向恢复时间trr。此外，最大功率为30W，该设备采用磁带和卷轴（TR）封装，该设备具有TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装盒，安装类型为表面安装，输入类型为标准型，IGBT类型为NPT，栅极电荷为14nC，集电脉冲Icm为12A，集电器Ic最大值为6A。
SKB02N60是IGBT晶体管FAST IGBT NPT TECH 600V 2A，包括600 V集电极-发射极电压VCEO Max，它们设计用于单配置运行，连续集电极电流Ic Max如数据表注释所示，用于6 a，提供最大栅极-发射极电压特性，例如+/-20 V，其最大工作温度范围为+150 C，它的最低工作温度范围为-55℃，该器件也可以用作SMD/SMT安装型。此外，包装箱为TO-263-3，设备采用卷筒包装，设备具有零件别名的SKB02N60ATMA1 SKB02N60 XT SP000012416，系列为SKB02N6，单位重量为0.068654盎司。
