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SKB15N60 E8151是IGBT 600V 31A 139W TO263-3，包括磁带和卷轴（TR）封装，它们设计用于to-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、to-263AB封装盒，输入类型如数据表注释所示，用于标准，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备封装设计用于PG-TO263-3，以及139W最大功率，该设备也可以用作279ns反向恢复时间trr。此外，集电器Ic最大值为31A，该器件提供600V电压集电器发射极击穿最大值，该器件具有IGBT型NPT，集电器脉冲Icm为62A，最大Vge Ic上的Vce为2.4V@15V，15A，开关能量为570μJ，栅极电荷为76nC，25°C下的Td为32ns/234ns，测试条件为400V，15A，21 Ohm，15V。
SKB15N60ATMA1是IGBT 600V 31A 139W TO263-3，包括600V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在最大Vge Ic上以2.4V@15V、15A Vce运行，测试条件如数据表注释所示，用于400V、15A、21欧姆、15V，提供25°C的Td通断特性，如32ns/234ns，开关能量设计为570μJ，以及PG-TO263-3供应商设备包，该设备也可以用作279ns反向恢复时间trr。此外，功率最大值为139W，该设备采用磁带和卷轴（TR）封装，该设备具有TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装盒，安装类型为表面安装，输入类型为标准型，IGBT类型为NPT，栅极电荷为76nC，集电器脉冲Icm为62A，集电器Ic最大值为31A。
SKB15N60HS是由INF制造的600V 27A 138W TO263-3型IGBT。SKB15N50HS可提供TO-263-3，D²Pak（2引线+接线片），TO-263AB封装，是IGBT的一部分-单体，并支持IGBT 600V 27A 138 W TO263-2。
